جزئیات محصول
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
فن آوری :: |
SDRAM - LPDDR موبایل |
رده محصولات :: |
آی سی های حافظه |
نوع حافظه:: |
فرار |
Factory Stock :: |
0 |
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: |
15 ثانیه |
بسته دستگاه تامین کننده:: |
90-VFBGA (8x13) |
زمان دسترسی :: |
5 ثانیه |
فرمت حافظه:: |
DRAM |
وضعیت قطعه:: |
فعال |
اندازه حافظه:: |
128Mb (4M x 32) |
بسته بندی :: |
نوار و حلقه (TR) |
@ qty :: |
0 |
دمای عملیاتی:: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
حداقل تعداد :: |
2500 |
رابط حافظه:: |
موازی |
بسته / کیس:: |
90-TFBGA |
نوع نصب:: |
ارتفاع سطح |
فرکانس ساعت:: |
200 مگاهرتز |
تامین کننده ولتاژ :: |
1.7 V ~ 1.95 V |
سلسله :: |
- |
سازنده :: |
Winbond Electronics |
فن آوری :: |
SDRAM - LPDDR موبایل |
رده محصولات :: |
آی سی های حافظه |
نوع حافظه:: |
فرار |
Factory Stock :: |
0 |
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: |
15 ثانیه |
بسته دستگاه تامین کننده:: |
90-VFBGA (8x13) |
زمان دسترسی :: |
5 ثانیه |
فرمت حافظه:: |
DRAM |
وضعیت قطعه:: |
فعال |
اندازه حافظه:: |
128Mb (4M x 32) |
بسته بندی :: |
نوار و حلقه (TR) |
@ qty :: |
0 |
دمای عملیاتی:: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
حداقل تعداد :: |
2500 |
رابط حافظه:: |
موازی |
بسته / کیس:: |
90-TFBGA |
نوع نصب:: |
ارتفاع سطح |
فرکانس ساعت:: |
200 مگاهرتز |
تامین کننده ولتاژ :: |
1.7 V ~ 1.95 V |
سلسله :: |
- |
سازنده :: |
Winbond Electronics |