جزئیات محصول
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات: آی سی DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
فن آوری :: |
SDRAM - DDR |
رده محصولات :: |
آی سی های حافظه |
نوع حافظه:: |
فرار |
سهام کارخانه:: |
0 |
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: |
15 ثانیه |
بسته دستگاه تامین کننده:: |
66-TSOP |
زمان دسترسی :: |
700ps |
فرمت حافظه:: |
DRAM |
وضعیت قطعه:: |
از کار افتاده |
اندازه حافظه:: |
512 مگابایت (64 × 8 مگابایت) |
بسته بندی :: |
نوار و حلقه (TR) |
@ تعداد:: |
0 |
دمای عملیاتی:: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
حداقل تعداد :: |
1000 |
رابط حافظه:: |
موازی |
بسته / کیس:: |
66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16mm) |
نوع نصب:: |
ارتفاع سطح |
فرکانس ساعت:: |
167 مگاهرتز |
تامین کننده ولتاژ :: |
2.3 V ~ 2.7 V |
سلسله :: |
- |
سازنده :: |
فناوری میکرون |
فن آوری :: |
SDRAM - DDR |
رده محصولات :: |
آی سی های حافظه |
نوع حافظه:: |
فرار |
سهام کارخانه:: |
0 |
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: |
15 ثانیه |
بسته دستگاه تامین کننده:: |
66-TSOP |
زمان دسترسی :: |
700ps |
فرمت حافظه:: |
DRAM |
وضعیت قطعه:: |
از کار افتاده |
اندازه حافظه:: |
512 مگابایت (64 × 8 مگابایت) |
بسته بندی :: |
نوار و حلقه (TR) |
@ تعداد:: |
0 |
دمای عملیاتی:: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
حداقل تعداد :: |
1000 |
رابط حافظه:: |
موازی |
بسته / کیس:: |
66-TSSOP (0.400"، عرض 10.16mm) |
نوع نصب:: |
ارتفاع سطح |
فرکانس ساعت:: |
167 مگاهرتز |
تامین کننده ولتاژ :: |
2.3 V ~ 2.7 V |
سلسله :: |
- |
سازنده :: |
فناوری میکرون |