جزئیات محصول
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات: آی سی DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
دسته بندی: |
مدارهای یکپارچه (IC)
حافظه
حافظه |
اندازه حافظه: |
512 مگابیت |
وضعیت محصول: |
فعال |
نوع نصب: |
ارتفاع سطح |
بسته بندی: |
سینی |
سری: |
- |
DigiKey قابل برنامه ریزی: |
تایید نشده |
رابط حافظه: |
موازی |
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه: |
- |
بسته دستگاه تامین کننده: |
90-TFBGA (8x13) |
نوع حافظه: |
فرار |
مفر: |
ISSI، یکپارچه راه حل سیلیکون شرکت |
فرکانس ساعت: |
133 مگاهرتز |
ولتاژ - عرضه: |
3V ~ 3.6V |
زمان دسترسی: |
6 ns |
بسته بندی / کیس: |
90-TFBGA |
سازمان حافظه: |
16 متر در 32 |
دمای کار: |
0°C ~ 70°C (TA) |
تکنولوژی: |
SDRAM |
شماره محصول پایه: |
IS42S32160 |
فرمت حافظه: |
DRAM |
دسته بندی: |
مدارهای یکپارچه (IC)
حافظه
حافظه |
اندازه حافظه: |
512 مگابیت |
وضعیت محصول: |
فعال |
نوع نصب: |
ارتفاع سطح |
بسته بندی: |
سینی |
سری: |
- |
DigiKey قابل برنامه ریزی: |
تایید نشده |
رابط حافظه: |
موازی |
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه: |
- |
بسته دستگاه تامین کننده: |
90-TFBGA (8x13) |
نوع حافظه: |
فرار |
مفر: |
ISSI، یکپارچه راه حل سیلیکون شرکت |
فرکانس ساعت: |
133 مگاهرتز |
ولتاژ - عرضه: |
3V ~ 3.6V |
زمان دسترسی: |
6 ns |
بسته بندی / کیس: |
90-TFBGA |
سازمان حافظه: |
16 متر در 32 |
دمای کار: |
0°C ~ 70°C (TA) |
تکنولوژی: |
SDRAM |
شماره محصول پایه: |
IS42S32160 |
فرمت حافظه: |
DRAM |
